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您正在设计需要高效功率切换的电路吗？STD30NE06L正是为您而来的解决方案。这颗由ST意法半导体打造的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和高达30A的连续电流处理能力，能轻松担当起电机驱动、电源转换中的核心开关角色。

它采用先进的STripFET技术，实现了极低的导通电阻（典型值28毫欧@10V），这意味着更低的传导损耗和更高的系统效率，直接帮助您降低能耗与发热。同时，其优化的动态参数让开关过程更加干净利落。无论是提升现有产品的能效，还是为可靠性与成本寻求最佳平衡点，这颗芯片都能让您的设计工作事半功倍。

• 型号:STD30NE06L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:55W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD30NE06L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。