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您正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时节省布板空间的功率开关吗？STL50NH3LL正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，采用先进的STripFET技术，拥有30V耐压和27A的强大电流承载能力，其核心魅力在于超低的导通电阻（仅13毫欧@10V），能显著降低开关损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用紧凑的PowerFlat封装，不仅能轻松应对高密度PCB设计，其优异的散热特性更能保障系统长期稳定运行。无论是提升电池管理系统的效率，还是优化电机驱动的响应速度，STL50NH3LL都能以卓越的电气性能，助您轻松攻克能效与空间的双重挑战，实现产品性能的飞跃。

• 型号:STL50NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 27A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL50NH3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。