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您是否正在寻找一颗能在微小空间内掌控功率的“能量枢纽”？STL4P2UH7正是为您而来！这颗采用先进STripFET VII技术的P沟道MOSFET，拥有20V/4A的稳健功率处理能力，却仅占用2x2毫米的板面空间。它让您能轻松设计出更纤薄、更紧凑的电源管理模块，无论是手机、平板还是各类便携设备，都能游刃有余。

其核心魅力在于极致高效。凭借低于100毫欧的导通电阻和仅需1.8V的低门槛驱动电压，它能显著降低开关损耗和整体功耗，直接提升终端产品的续航时间。同时，优异的散热性能确保它在高负荷下也能稳定工作。选择它，就是为您的产品选择了一份强大的性能保障与空间自由。

• 型号:STL4P2UH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
• STL4P2UH7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。