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还在为高压半桥驱动的复杂外围电路和可靠性担忧吗？L6384D为您提供一站式的高效解决方案！这颗来自意法半导体的栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计，它能将您的控制信号，转化为强劲、精准的栅极驱动动力，轻松驾驭高达600V的母线电压。

它内置了先进的逻辑与驱动电路，让您无需再为自举充电、电平移位等复杂设计费心。高达650mA的拉电流输出能力，确保开关管快速导通；400mA的灌电流则实现干净利落的关断，大幅提升开关频率和系统效率。其宽泛的工作电压（14.6V-16.6V）与温度范围（-45°C至125°C），赋予您的产品卓越的环境适应性和可靠性，是电机驱动、电源转换等应用的理想心脏。

• 型号:L6384D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6384D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。