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还在寻找一颗能同时征服高效率和迷你体积的功率开关吗？STL4N10F7正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和高达18A的电流处理能力，其核心价值在于让您的设计轻松实现更低的能量损耗和更小的占用空间。

它采用先进的STripFET VII技术，导通电阻低至70毫欧，能显著减少导通状态下的发热，提升系统整体能效。同时，优化的开关特性帮助您实现更高频率的运行，进一步压缩无源器件的体积。所有这些强大功能，都被集成在一个极其扁平的PowerFlat封装内，为您释放宝贵的PCB面积，让产品设计更加灵活、紧凑。

简而言之，STL4N10F7就是您提升电源转换效率、实现电机驱动小型化、打造下一代紧凑型高可靠性设备的理想基石。选择它，就是选择了一条通往更高性能与更优成本效益的捷径。

• 型号:STL4N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta），18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 2.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:408 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL4N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。