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还在寻找一颗能在高压应用中兼顾高效与紧凑的“心脏”吗？STL4LN80K5正是您的理想答案。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和仅2.6欧姆的低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它专为简化您的设计而生。极低的栅极电荷和输入电容，让驱动变得轻而易举，轻松实现更高频率的开关操作，从而允许您使用更小、更经济的无源元件。其创新的PowerFlat VHV封装，在提供卓越散热性能的同时，大幅节省了宝贵的电路板空间，让您能从容应对日益严苛的尺寸限制。

无论是工业电源、LED驱动还是家电PFC电路，选择STL4LN80K5，就是为您的产品选择了经久耐用的能效核心与面向未来的设计灵活性。

• 型号:STL4LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:110 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:38W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL4LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。