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还在为高压开关应用中的损耗和散热问题烦恼吗？STB21NM50N-1正是为您的高效解决方案而来。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V/18A的强劲规格，其核心价值在于极低的导通电阻（仅190毫欧），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅能轻松应对严苛的工业环境，其优化的动态参数（如低栅极电荷）更能帮助您提升开关频率，从而缩小磁性元件尺寸，实现更紧凑、更具成本效益的设计。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体的高性能基因，让您在追求功率密度与能效极限的道路上领先一步。

• 型号:STB21NM50N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB21NM50N-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。