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还在寻找一颗能同时兼顾高效、可靠与成本优势的功率开关吗？STB26N60M2正是为您而来！这颗采用先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有600V/20A的强悍规格，其超低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低您的系统开关损耗与导通损耗，让电源转换效率轻松跃升。

它能让您的服务器电源、工业驱动或UPS设计运行得更凉爽、更安静，同时简化散热设计，节约整体成本。其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了在各种严苛环境下的长久稳定运行。选择STB26N60M2，就是为您的功率应用注入一颗高效而强劲的心脏。

• 型号:STB26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:169W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB26N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。