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您是否正在寻找一颗能同时征服高压与高频挑战的功率开关？STL42N65M5正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有650V的坚固耐压屏障和仅79毫欧的低导通电阻，能显著降低您在电源转换过程中的能量损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。

它集成了意法半导体先进的MDmesh V技术，通过优化的单元结构和栅极设计，实现了出色的开关性能与低栅极电荷。这意味着您可以轻松推动更高频率的工作模式，从而缩小磁性元件的体积，助力打造更紧凑、功率密度更高的电源模块。无论是提升现有产品的能效等级，还是攻克新的设计难题，STL42N65M5都是您值得信赖的伙伴。

• 型号:STL42N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta），34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），208W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL42N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。