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您是否正在寻找一颗既能扛住高压，又能保持高效冷静的功率开关？STL3N65M2正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh M2家族的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和2.3A的电流处理能力，其核心价值在于极低的1.8欧姆导通电阻和仅5nC的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电源转换效率轻松跃升，系统发热大幅减少。

它采用先进的PowerFlat封装，体积小巧却散热出色，完美适配对空间有苛刻要求的紧凑型设计。无论是打造高效的充电器、明亮的LED驱动，还是可靠的电机控制电路，STL3N65M2都能让您以更少的功耗和更小的尺寸，实现更强大的功率输出，助您高效完成高性能、高可靠性的产品设计。

• 型号:STL3N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:155 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:22W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL3N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。