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您是否希望为您的电源或电机驱动设计找到一颗动力强劲且高效节能的“心脏”？STP19NM50N正是这样一款解决方案。它基于意法半导体先进的MDmesh II技术，为您提供高达500V的漏源电压和14A的连续电流处理能力，让您轻松应对中高功率应用挑战。

这颗N沟道MOSFET的核心优势在于其卓越的效率。它拥有极低的导通电阻（仅250毫欧）和栅极电荷（34nC），能显著降低开关和传导过程中的能量损耗，从而提升整个系统的能效。其坚固的TO-220AB封装和110W的功率耗散能力，确保了出色的散热性能和长期运行可靠性，让您的产品设计更稳健、寿命更长久。

• 型号:STP19NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP19NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。