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您正在设计需要高效功率切换的汽车电子系统吗？STL38DN6F7AG正是为您而来的得力助手。这颗汽车级双N沟道MOSFET阵列，能轻松处理高达60V的电压和10A的电流，其超低的27毫欧导通电阻，让您的系统运行更“冷静”，能量损耗大幅降低，直接提升整体能效。

它采用先进的STripFET F7技术，在微小的8-PowerVDFN封装内实现了高达57.7W的功率处理能力。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和AEC-Q101认证，确保它在最严苛的汽车环境下依然稳定可靠。无论是驱动电机、管理电源还是控制照明，STL38DN6F7AG都能让您的设计更高效、更紧凑，助力产品快速赢得市场。

• 型号:STL38DN6F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 10A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380pF @ 25V
• 功率 - 最大值:57.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL38DN6F7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。