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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的“核心引擎”吗？STB33N60DM6正是为此而生。这颗采用意法半导体MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和25A的连续漏极电流能力，其核心魅力在于仅128毫欧的超低导通电阻。这意味着它能大幅减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效，直接提升终端产品的能效等级和可靠性。

不仅如此，其优化的动态特性（如低栅极电荷）让开关速度更快，损耗更低，特别适合高频开关电源应用。无论是用于工业电源、UPS还是充电桩，它都能帮助您简化散热设计，提高功率密度，并凭借D2PAK封装的坚固性和良好的热性能，确保在-55°C到150°C的严酷环境下稳定工作。选择STB33N60DM6，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:STB33N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:128毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB33N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。