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还在为高压应用的效率提升和散热设计绞尽脑汁吗？让STL31N65M5来为您分忧！这颗基于ST先进MDmesh V技术的N沟道功率MOSFET，是您实现高效电能转换的得力助手。

它拥有650V的高耐压和15A（Tc）的强大电流能力，配合仅162毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更“冷静”、更高效。其优化的开关特性（Qg仅45nC）有助于减少开关损耗，提升整体能效。采用紧凑的PowerFlat HV封装，不仅节省宝贵的电路板空间，其卓越的热性能（125W Tc）更能让您轻松应对高功率挑战，确保系统长期稳定可靠。

• 型号:STL31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta），15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:162 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1865 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL31N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。