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您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时节省空间的P沟道MOSFET？STL30P3LLH6正是您的理想之选。它基于意法半导体先进的STripFET VI技术，拥有30V/30A的强劲功率处理能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源转换或负载开关应用运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能让您轻松应对高密度板级设计挑战。它采用紧凑的PowerFlat封装，在提供优异散热性能的同时，占板面积极小。更低的栅极电荷让驱动设计变得简单，帮助您实现更快的开关速度，从而优化整体系统能效。无论是提升电池续航，还是增强系统可靠性，STL30P3LLH6都是推动您产品迈向更高性能台阶的关键动力部件。

• 型号:STL30P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL30P3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。