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还在为高压电源设计中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STU4N52K3来为您彻底解决！这颗基于先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，是专为高效、高可靠性应用而生的功率开关核心。

它能让您轻松驾驭高达525V的电压和2.5A的电流，凭借其超低的导通电阻和栅极电荷，大幅降低开关损耗和导通损耗，从而提升整个系统的能源转换效率。这意味着您的设备运行更“冷静”，能耗更低，寿命更长。无论是开发紧凑型适配器、高性能LED驱动还是工业电源，它都能让您的设计更高效、更可靠，助您快速将领先的产品推向市场。

• 型号:STU4N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU4N52K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。