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还在为功率转换系统的效率瓶颈而烦恼吗？STL30N10F7就是您提升性能、简化设计的秘密武器。这颗采用先进STripFET VII技术的N沟道MOSFET，拥有低至35毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源模块或电机驱动方案轻松实现更高效率、更低温升。

它能在高达100V的电压和30A的电流下稳定工作，为您的高功率密度设计提供坚实保障。其紧凑的PowerFlat封装不仅节省宝贵的电路板空间，还具备出色的散热能力。无论是打造高效的DC-DC转换器、可靠的电机控制器，还是紧凑的电池管理系统，STL30N10F7都能让您以更小的体积，实现更强大的功率处理能力，助您快速推出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STL30N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL30N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。