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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关芯片吗？STL15N65M5正是您的理想答案。它基于ST先进的MDmesh V技术打造，拥有650V的漏源电压和10A的连续电流能力，其核心价值在于极低的375毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更凉、更高效。

这颗芯片旨在让您的设计工作事半功倍。它采用节省空间的PowerFlat表面贴装封装，帮助您实现更紧凑的电路布局。同时，优异的开关特性（如低栅极电荷）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，从而提升系统整体能效。无论是用于开关电源、功率因数校正还是照明镇流器，STL15N65M5都能让您轻松应对高电压挑战，构建出稳定、高效且耐用的功率解决方案。

• 型号:STL15N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL15N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。