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您正在寻找一颗能轻松驾驭600V高压、19A大电流的功率开关吗？STL26NM60N正是您的理想之选！它基于意法半导体先进的MDmesh II技术，为您带来超低的185毫欧导通电阻和仅60nC的栅极电荷，这意味着它能显著降低系统的导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片采用创新的PowerFlat HV表面贴装封装，不仅节省宝贵的电路板空间，其优异的散热性能更能确保在高功率密度应用中稳定工作。无论是打造更小巧的服务器电源、更可靠的工业变频器，还是更高效的太阳能逆变器，STL26NM60N都能以卓越的性能和高达150°C的结温工作能力，为您的产品注入强劲而可靠的动力核心。

• 型号:STL26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Ta），19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:185 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125mW（Ta），3W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL26NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。