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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与低温升的“能量开关”？STP3NK90ZFP正是为您而来。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和3A的电流处理能力，让您在设计开关电源、LED驱动或电机控制电路时，面对高压输入也能信心十足。

它的核心价值在于卓越的效率。极低的栅极电荷和输入电容，配合10V的标准驱动电压，让开关动作快速而干净，显著降低开关损耗。这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更高效，直接提升终端产品的能效等级和可靠性。选择它，就是为您的功率应用注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:STP3NK90ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP3NK90ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。