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还在寻找能扛起大电流重任又保持冷静的功率开关吗？STL260N3LLH6正是为您而生的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其260A的超高连续电流能力和低至1.3毫欧的导通电阻，能显著降低您电源电路中的传导损耗，让系统运行更高效、更凉爽。

它采用先进的STripFET H6技术和紧凑的PowerFlat封装，不仅提供了卓越的功率密度，还简化了您的散热设计。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和优化的开关特性（低栅极电荷），让您能轻松应对汽车、工业电源及高端计算设备中的严苛挑战，构建更可靠、更紧凑的动力核心。

• 型号:STL260N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6375 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:166W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL260N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。