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还在为射频前端设计的效率与线性度烦恼吗？PD84008L-E正是为您排忧解难的利器。这颗基于先进LDMOS技术的射频晶体管，能在870MHz的核心频段上，为您提供高达15.5dB的强劲增益和2W的稳定输出功率，让您的无线信号传输得更远、更清晰、更可靠。

它采用紧凑的8-PowerVDFN封装，极大地节省了您的电路板空间，同时其7.5V的工作电压和高达7A的额定电流能力，确保了在各种应用场景下的高效与稳定。无论是驱动末级功率放大器还是作为推动级，PD84008L-E都能让您的设计过程更加轻松，性能表现更加出众，助您快速打造出具有市场竞争力的无线产品。

• 型号:PD84008L-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:15.5dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:250 mA
• 功率 - 输出:2W
• 电压 - 额定:25 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• PD84008L-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。