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还在为高压大电流应用的效率瓶颈而烦恼吗？STL25N60M2-EP正是为您破局而来的利器。这颗采用先进MDmesh M2-EP技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和16A的连续电流能力，其核心价值在于极低的205毫欧导通电阻与优化的开关特性。这意味着它能显著降低导通与开关损耗，直接为您带来更高的系统能效和更低的温升。

它能让您的电源转换或电机驱动设计运行得更冷静、更高效。其PowerFlat HV封装兼具出色的散热性能和紧凑的占板面积，帮助您轻松实现高功率密度的小型化设计。无论是提升现有产品性能，还是攻克新的设计挑战，选择它，就是选择了一条通往更高可靠性与竞争力的捷径。

• 型号:STL25N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:205 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL25N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。