STGB3NB60FDT4（ST 意法半导体，晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：STGB3NB60FDT4

制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）

描述：IGBT 600V 6A 68W D2PAK

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：PowerMESH

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：6A

电流-集电极脉冲(Icm)：24A

不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，3A

功率-最大值：68W

开关能量：125J（关）

输入类型：标准

栅极电荷：16nC

25°C时Td（开/关）值：12.5ns/105ns

测试条件：480V，3A，10 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：45ns

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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基本参数：

电子零件型号：STGB3NB60FDT4

原始制造厂商：ST（意法半导体）

技术标准参数：IGBT 600V 6A 68W D2PAK

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处查询STGB3NB60FDT4的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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