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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，又能保持冷静高效的功率开关吗？STL25N15F4正是您的理想答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有150V的耐压和25A的连续电流承载能力，其核心价值在于采用了先进的DeepGATE技术，实现了仅63毫欧的超低导通电阻。

这意味着在您的电机驱动、电源转换或负载开关应用中，它能大幅降低导通损耗，让系统运行更凉爽，整体能效显著提升。同时，其优化的动态参数（如低栅极电荷）让开关动作干净利落，帮助您轻松实现更高频率的设计，提升功率密度。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的动力核心。

• 型号:STL25N15F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2710 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL25N15F4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。