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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STF10LN80K5正是为您而来的高效解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和8A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（典型值630毫欧@10V）和优化的动态特性，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭服务器电源、工业电机驱动、UPS和充电桩等高压大功率场景。优异的栅极电荷和电容特性确保了快速、干净的开关，简化您的驱动电路设计。采用坚固的TO-220FP封装，散热性能出众，结合宽广的工作温度范围，为您产品的长期可靠运行保驾护航。选择它，就是选择用一颗芯片的力量，全面提升系统的能效与功率密度。

• 型号:STF10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。