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还在为高压大电流应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STL24NM60N正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和高达16A的电流处理能力，其核心价值在于215毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它采用节省空间的PowerFlat HV表面贴装封装，不仅易于焊接和自动化生产，更能帮助您实现极其紧凑的PCB布局。无论是提升开关电源的功率密度，还是优化电机驱动的响应速度，STL24NM60N都能以卓越的开关性能和可靠的品质，助您轻松跨越设计难关，打造出更具市场竞争力的终端产品。

• 型号:STL24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta），16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:215 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL24NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。