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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STP11N65M2正是您的高效解决方案。这颗650V N沟道MOSFET，采用先进的MDmesh II Plus技术，拥有超低的导通电阻和栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更节能。

它高达7A的电流处理能力和650V的坚固耐压，为您应对高功率需求和复杂电气环境提供了强大信心。经典的TO-220封装确保了出色的散热性能和便捷的安装。选择它，就是选择让您的产品在可靠性、能效和功率密度上全面领先，轻松应对各种设计挑战。

• 型号:STP11N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:670 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:410 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。