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还在为高电压功率转换的效率瓶颈而困扰吗？让STL23NM50N为您开启高效之门。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的强劲耐压和低至210毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更持久。

它集高电流处理能力（Tc条件下可达14A）与卓越的散热性能于一身，得益于独特的PowerFlat HV封装。这意味着您可以在更紧凑的空间内实现更大的功率密度，轻松应对空间受限的设计挑战。选择它，就是为您的产品注入了ST意法半导体的可靠基因与高效动能。

• 型号:STL23NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta），14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:210 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL23NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。