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您正在设计需要处理高达1200V电压和25A持续电流的功率转换系统吗？STGW25S120DF3正是为您而来的高效开关解决方案。它集成了先进的沟道和场截止IGBT技术，能够显著降低导通压降（仅2.1V@25A）和开关损耗，让您的逆变器、电机驱动器或电源设备运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高达375W的功率控制，其快速的开关特性（开启延迟31ns）和优化的栅极电荷（80nC）确保了系统的高频响应与低驱动损耗。无论是应对100A的脉冲电流冲击，还是在严苛的工业温度环境下，其TO-247-3封装都能提供可靠的散热与电气隔离，大幅提升您最终产品的功率密度与长期可靠性。

• 型号:STGW25S120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:830J（导通），2.37mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:80 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/147ns
• 测试条件:600V，25A，15欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):265 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW25S120DF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。