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零件图片（仅供参考）
STGW25S120DF3
规格参数
  • ST意法半导体公司完整型号: STGW25S120DF3
  • 制造厂家名称: STMicroelectronics
  • 功能总体简述: IGBT 1200V 25A TO247
  • 系列: -
  • IGBT 类型: 沟道和场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 50A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm): 100A
  • 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，25A
  • 功率 - 最大值: 375W
  • 开关能量: 830μJ（开），2.37mJ（关）
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: 80nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值: 31ns/147ns
  • 测试条件: 600V，25A，15欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）: 265ns
  • 封装/外壳: TO-247-3
  • 安装类型: 通孔
  • 供应商器件封装: TO-247-3
  • STGW25S120DF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：STGW25S120DF3
  • 原始制造厂商：ST（意法半导体）
  • 技术标准参数：IGBT 1200V 25A TO247
  • 产品应用分类：IGBT - 单路
  • 点击此处查询STGW25S120DF3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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