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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STL22N65M5为您开启高效功率管理的新篇章。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V高耐压和15A大电流能力，其极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用紧凑的PowerFlat HV封装，在提供出色散热性能的同时，为您节省宝贵的电路板空间，轻松实现高功率密度设计。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发面向未来的绿色能源方案，STL22N65M5都是您值得信赖的伙伴，助您轻松攻克技术挑战，赢得市场先机。

• 型号:STL22N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:210 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL22N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。