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还在为电源系统的效率与散热问题头疼吗？让STWA65N60DM6来为您分忧！这颗采用先进MDmesh DM6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和高达38A的连续电流能力，是您实现高效功率转换的得力助手。

它能轻松应对严苛的开关环境，显著降低导通与开关损耗，让您的电源设计更高效、更紧凑。无论是提升功率密度还是增强系统可靠性，它都能让您的产品脱颖而出，赢得市场先机。

• 型号:STWA65N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 38A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA65N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。