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您正在寻找一颗能同时驾驭高功率与高效率的N沟道MOSFET吗？STL225N6F7AG正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体汽车级STripFET F7系列的功率器件，拥有60V耐压和高达120A的连续电流处理能力，而其核心魅力在于仅1.4毫欧的超低导通电阻。这意味着它能极大地减少您在开关电源、电机控制或负载开关应用中的传导损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效，直接提升终端产品的续航和可靠性。

它采用先进的PowerFlat封装，散热性能出众且节省空间，非常适合高功率密度设计。无论是面对汽车电子中的振动高温，还是工业电源的连续运行挑战，其AEC-Q101认证和宽工作温度范围（-55°C ~ 175°C）都能让您高枕无忧。选择STL225N6F7AG，就是为您的核心电路选择一个强大、可靠且高效的能量控制核心，轻松实现性能升级。

• 型号:STL225N6F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:188W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL225N6F7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。