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您正在寻找一颗能驾驭大电流、同时保持超高效率和可靠性的功率开关吗？STL220N3LLH7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和高达220A的连续电流处理能力，其核心魅力在于DeepGATE技术带来的极低导通电阻（仅1.1毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它采用先进的STripFET VII技术和紧凑的PowerFlat封装，不仅开关速度快、栅极驱动简单，还能帮助您实现更小巧、更轻薄的终端产品设计。无论是提升现有方案的性能，还是攻克新的设计挑战，STL220N3LLH7都能让您轻松应对高功率密度和高可靠性的双重需求。

• 型号:STL220N3LLH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL220N3LLH7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。