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还在为电源系统的效率瓶颈和散热设计头疼吗？让STL210N4F7AG来为您破局！这颗来自意法半导体的车规级N沟道MOSFET，集120A大电流与1.6毫欧超低导通电阻于一身，能显著降低开关及传导损耗，直接提升您的系统整体能效，让热量管理变得前所未有的轻松。

它采用紧凑高效的PowerFlat封装，不仅能节省您宝贵的电路板空间，其卓越的散热性能更能确保设备在-55°C至175°C的宽广温度范围内稳定运行。无论是提升电机驱动能力，还是优化DC-DC转换效率，STL210N4F7AG都能让您的设计更高效、更可靠、更具竞争力。

• 型号:STL210N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL210N4F7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。