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还在为功率转换系统的效率与散热问题烦恼吗？STL20NM20N这颗N沟道功率MOSFET就是您的得力助手。它基于ST先进的MDmesh II技术，拥有200V耐压和20A电流处理能力，其超低的导通电阻能显著减少导通损耗，而优化的开关特性则能有效降低开关损耗，让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高能效和更低的温升。

这颗芯片采用紧凑的PowerFlat表面贴装封装，不仅节省宝贵的电路板空间，其优异的散热性能更能让您简化热管理设计。无论是用于提升现有方案的性能，还是为新产品注入高效动力，STL20NM20N都能以稳定可靠的表现为您的系统保驾护航，助您打造出更具市场竞争力的高效能产品。

• 型号:STL20NM20N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 20A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL20NM20N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。