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还在寻找那颗能让您的半桥功率电路既强劲又听话的“指挥官”吗？E-L6569栅极驱动器正是您期待的答案。它专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，凭借高达270mA/170mA的峰值输出电流，让您的功率开关管得以迅猛、精准地动作，从而大幅提升电源转换效率，并有效降低热损耗。

这颗芯片能为您构建一个极其稳固的驱动桥梁。其高达600V的自举电压和宽广的工作温度范围（-40°C ~ 150°C TJ），让它无惧工业环境中的电压浪涌与严寒酷暑，确保系统长期稳定运行。采用经典的8引脚DIP通孔封装，让您在原型设计或需要高可靠性的应用中，能够轻松、牢固地进行焊接与安装，简化生产流程。

• 型号:E-L6569
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-迷你型 DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
• 输入类型:RC 输入电路
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-迷你型 DIP
• E-L6569，ST（意法半导体）产品一站式供应商。