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还在寻找那颗能同时满足大电流、低损耗和高可靠性的核心功率开关吗？STL190N4F7AG正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有120A的强劲电流承载能力和低至2毫欧的导通电阻，能显著降低系统功耗与发热，让您的电源转换或电机驱动方案效率跃升新台阶。

它采用先进的STripFET技术与汽车级（AEC-Q101）认证的工艺制造，确保在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定工作。其创新的PowerFlat封装不仅节省宝贵的PCB空间，更优化了散热性能。无论是驱动电机、管理电池，还是构建高效的DC-DC转换器，它都能让您轻松应对高功率密度设计的挑战，实现更高效、更紧凑、更可靠的产品设计。

• 型号:STL190N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:127W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL190N4F7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。