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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？SCT30N120这颗基于尖端碳化硅技术的功率开关，正是为您破局而来。它能让您的电源设计轻松实现更高的开关频率和更低的能量损耗，从而大幅提升系统功率密度和整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它集成了1200V的耐压和40A的电流处理能力，配合极低的导通电阻，确保在大功率传输时依然保持冷静高效。其优异的开关特性让您能够简化驱动电路设计，降低系统复杂性和成本。无论是用于新能源发电、工业电机驱动还是高端电源，SCT30N120都能让您的产品性能更稳定、运行更可靠，助您在市场竞争中赢得先机。

• 型号:SCT30N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 1mA（典型值）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:270W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCT30N120，ST（意法半导体）产品一站式供应商。