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还在为功率器件的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？STL18N60M6正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh M6技术的功率MOSFET，集600V高耐压、9A大电流与超低导通电阻于一身，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升您的电源、电机驱动或照明系统的整体能效，让热量管理变得更轻松。

它采用紧凑的PowerFlat HV表面贴装封装，不仅节省宝贵的电路板空间，其优化的动态参数（如低栅极电荷和输入电容）更能让您的设计实现更高的工作频率，从而缩小磁性元件体积，降低系统总成本。选择STL18N60M6，就是选择了一条通往更高功率密度、更可靠运行和更具竞争力产品的高效路径。

• 制造商产品型号：STL18N60M6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M6
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：308毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16.8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：650pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：57W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：PowerFlat（5x6）HV
• STL18N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。