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您正在寻找一颗能在紧凑空间内爆发强劲动力，同时保持冷静高效的功率开关吗？STL45N10F7AG正是为您而来。这颗来自意法半导体的100V/18A N沟道MOSFET，采用先进的STripFET F7技术，拥有低至24毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗，提升系统整体效率，让您的电源管理或电机驱动方案轻装上阵，性能却更加强劲。

它采用节省空间的PowerFlat封装，散热能力出众，非常适合对体积和热管理有严苛要求的应用。无论是汽车电子、便携设备还是工业控制，STL45N10F7AG都能让您轻松应对高功率密度设计的挑战，实现更可靠、更紧凑的产品设计。

• 型号:STL45N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 18A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:72W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL45N10F7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。