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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易用性的功率开关芯片吗？STL16N65M2就是您理想的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh M2家族的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和7.5A的连续电流能力，专为提升您的电源转换效率而生。

它通过优化的芯片设计与先进的PowerFlat HV封装技术，实现了超低的导通电阻与栅极电荷。这意味着在您的开关电源、电机控制或照明驱动应用中，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让系统运行更凉爽、更高效。同时，紧凑的封装让您轻松实现高功率密度设计，节省宝贵的电路板空间。

选择STL16N65M2，就是选择让您的产品在性能与可靠性上脱颖而出，轻松应对各类能效挑战。

• 型号:STL16N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:395 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:718 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:56W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL16N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。