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还在为驱动电路设计繁琐而头疼吗？让L6386ED013TR来为您简化一切！这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，专为高效驱动IGBT和N沟道MOSFET而设计。它能为您提供高达650mA/400mA的强大峰值驱动电流，配合极短的开关时间，确保功率器件快速、干净地开关，从而显著提升系统效率，降低发热。

更令人安心的是，它集成了高达600V的高压侧驱动能力与完备的保护逻辑，让您轻松构建可靠的半桥拓扑。其宽泛的工作温度范围和紧凑的SOIC封装，更能帮助您应对各种严苛环境与空间限制的设计挑战。选择L6386ED013TR，就是选择了一个让设计更高效、让产品更可靠的智能驱动核心。

• 型号:L6386ED013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• L6386ED013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。