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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时还能保持冷静与高效的功率开关吗？STL13N65M2正是为此而来。这颗采用先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和6.5A的强大电流处理能力，其核心使命就是大幅降低您在电源转换中的能量损耗。

它通过极低的导通电阻（仅475毫欧@10V）和优化的动态特性，让开关过程更快、更干净，从而显著提升系统整体效率，减少发热。这意味着您能轻松设计出更节能、更紧凑、运行更稳定的电源产品，无论是面对工业驱动还是消费类电源的挑战，都能让您信心十足，高效达成设计目标。

• 型号:STL13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:475 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL13N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。