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您正在寻找一颗能同时征服高压、高效率和紧凑空间挑战的功率开关吗？STL13N60M6正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和7A的强大电流处理能力，核心采用了ST先进的MDmesh M6技术，能显著降低导通电阻，从而大幅减少开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用创新的PowerFlat HV封装，不仅散热性能出众，更能帮您极大节省电路板空间，轻松实现高功率密度设计。无论是面对工业环境的严苛考验，还是满足消费电子对小巧体积的追求，STL13N60M6都能让您自信应对，可靠提升最终产品的整体性能和市场竞争力。

• 型号:STL13N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:415 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:509 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL13N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。