我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL13DP10F6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起大功率的开关器件而烦恼吗？STL13DP10F6双P沟道MOSFET就是您的理想解决方案。它让您轻松实现高效率的电源管理与电机驱动，其逻辑电平门控特性可直接由微控制器驱动，简化您的电路设计。

这颗芯片能为您做什么？它凭借100V的耐压和13A的持续电流能力，成为DC-DC转换、负载开关和电机控制应用的强大心脏。超低的导通电阻和栅极电荷，确保了极低的开关损耗和温升，让您的系统运行更加高效、可靠。采用紧凑的PowerFLAT封装，极大节省了宝贵的PCB空间，是追求高功率密度设计的工程师的明智之选。

• 型号:STL13DP10F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 100V 13A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 1.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864pF @ 25V
• 功率 - 最大值:62.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL13DP10F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。