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还在寻找一颗能扛起大功率开关重任，同时又兼顾效率与可靠性的“心脏”吗？STGWT20H60DF正是您的理想之选！这颗600V/40A的沟槽场截止IGBT，能轻松驾驭变频驱动、UPS电源等高要求应用，其低至2V的饱和压降让您显著降低导通损耗，提升整体能效。

它拥有高达167W的功率处理能力和80A的脉冲电流，确保您的设备在面对突加载荷时依然稳定如山。快速的开关特性（开关能量低）与宽达-55°C至175°C的工作结温范围，让您的设计更从容，应对各种复杂环境挑战。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与耐用的双重保障。

• 型号:STGWT20H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:167 W
• 开关能量:209J（导通），261J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:115 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:42.5ns/177ns
• 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):90 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT20H60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。