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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STL12N60M6为您带来焕然一新的体验！这颗基于先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和6.4A的强劲电流能力，能轻松担当起您系统中高效功率开关的核心角色。

它最大的魅力在于，能在10V驱动下实现极低的导通电阻（典型值远低于490mΩ），显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。同时，其创新的PowerFlat HV封装不仅节省空间，更能有效散热，确保在-55°C到150°C的广阔温度范围内稳定工作。选择它，就是选择了一份让设计更简单、性能更卓越的保障。

• 型号:STL12N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.4A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:490 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:452 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL12N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。