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您正在寻找一颗能扛起高功率重任、同时保持冷静与高效的核心开关器件吗？STGFW30V60F正是为此而生。这颗来自意法半导体的600V/60A沟槽型场截止IGBT，旨在让您的电机驱动、电源转换等应用性能飞升。

它凭借仅2.3V的低导通压降和优化的开关特性（开关能量总计约616J），能显著降低系统的导通与开关损耗，直接为您提升能效、减少发热。其坚固的TO-3PF封装和高达175°C的结温能力，确保它在严苛环境中也能长期稳定运行，让您的产品设计更可靠、寿命更长久。

• 型号:STGFW30V60F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3PF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:58 W
• 开关能量:383J（导通），233J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:163 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• 供应商器件封装:TO-3PF
• STGFW30V60F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。