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还在寻找一颗能兼顾高性能与超小尺寸的功率开关吗？STL12N3LLH5正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET采用先进的PowerFlat封装，面积仅3.3x3.3毫米，却能轻松驾驭30V电压和高达12A的连续电流，让您在极其紧凑的空间内实现高效的电源管理和电机驱动。

它的核心价值在于极低的能量损耗。其导通电阻（Rds(on)）低至9毫欧，配合优化的栅极特性，能显著减少开关和传导过程中的热量产生。这意味着，您的设备将拥有更长的运行时间、更低的温升以及更简洁的散热设计。无论是用于同步整流提升DC-DC转换效率，还是作为负载开关实现精准的电源域控制，它都能让您的系统运行得更冷静、更持久、更可靠。

• 型号:STL12N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL12N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。